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SiC Wafer – 高負荷條件下之穏定加工用切割刀
切割刀
2023-04-06
SiC Wafer – 高負荷條件下之穏定加工用切割刀
產品特色
備有各種不同顆粒大小和集中度的產品可供選擇
因具有高耐磨性與高剛性,最適用於 難加工材料的精密加工
透過抑制刀刃部分的形狀變化,可持續保持穩定良好的切削性
範例
規格
H203JS-T4-035050
尺寸
55.58D-0.035T-19.05H-0.5L
加工材料
4“ SiC N-type Substrate (厚度300 um)
應用
學校研究用
進刀速度
5 mm/s
其他設備與規格尺寸相關應用,請洽聯絡方式
檔案連結:
SiC Wafer
1 file(s)
0.2MB
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